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晶圆

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晶圆,是纯硅(99.9999%)制成的一片片薄薄的圆形硅芯片。

购彩APP下载因其形状为圆形,故称为晶圆。

立承德(NEXTECK)提供的晶圆分成半导体用硅晶圆材料和太阳能电池用硅晶圆材料两种。

 

半导体用的硅芯片主要集中在4~6 inch,具体的规格如下:

Items 产品General Specification of Semiconductor Wafer
4 inch5 inch6 inch
Resistivity(Ω/cm) 电阻率P-Type doped: Boron, 0.001-0.01, 0.01-0.5, >0.5 P++, P+, P-
N-Type doped: As, Phos, Sb, 0.001-1, 1-150
Diameter tolerance(mm) 直径公差±0.2±0.2±0.2
Orientation 晶向(100), (111)(100), (110), (111)(100), (110), (111)
Orientation tolerance            晶向公差±0.15°±0.15°±0.15°
Edge ProfileT/RT/RT/R
Edge Condition边缘条件11/22 Ground11/22 Ground11/22 Ground/Polished
Thickness(μm)厚度300-650400-650550-750
Thickness tolerance(μm)厚度公差±15±15±15
Backside TreatmentEtchPolySiO2EtchPolySiO2EtchPolySiO2
Bow(μm)翘曲度±25±25(Before CVD)±25±25(Before CVD)±25±25(Before CVD)
Warp(μm)弯曲度≦25≦25(Before CVD)≦25≦25(Before CVD)≦25≦25(Before CVD)
Options 选项Laser marking, Poly-back, SiO2 seal, Back side damage



提供的太阳能级别的晶硅产品可分为单晶硅和多晶硅两种,我们可根据客户的需求有不同的规格。一般的规格如下:


单晶硅晶圆规格多晶硅晶圆规格
Category 类型156*156mm(Mono wafer单晶硅)156*156mm(Multi wafer多晶硅)
Growing methodCZ
Type 种类PP
Dopant掺杂物Boron硼Boron硼
Crystal Orientation晶向<100>+/-3 deg
Carbon content含碳量(atom/cm3)<5*1016<5*1017
Oxygen content含氧量(atom/cm3)<1.1*1018<1*1018
Etch Pit Defects(/cm3)<=3000
Resistivity电阻率0.5~3/3~60.5~3
Minority Carrier Lifetime少数载子生命周期(microsecond 微秒(μs) )>10>=2
Dimension(mm)体积156+/-0.5156+/-0.5
Thickness(μm)厚度200+/-20200+/-20
TTV 平整度(μm)<=30<=30
Bow/Warp 翘曲度/弯曲度(μm) <100<50 / <100
Surface Saw Damage Depth表面粗糙度(μm)<=15<=20
Edge(Chip)边缘(芯片)Depth≤0.5mmDepth≤0.5mm
Vertical≤1.0mmVertical≤3.0mm
Defect≤2Defect≤2

 


立承德集团( NEXTECK )的各项产品都获得长年的实积和信赖。用于半导体及电子零件的各种牌号非常齐全,对应各式各样的成形方法,具有良好的成形性与尺寸精确度。